1GビットDRAM

1Giga bit Dynamic Random Access Memory

1ギガ・ビット・ディ・ラム

1Gビットのデータを随時書き込み、読み出しできるメモリの総称。NECや日立製作所が1GビットDRAMの試作品を世界に先がけて発表している。1GビットDRAMの記憶容量は、最近話題になっているCD-ROMの1/4程度で、これを使ったヘッドホン・ステレオではCDプレイヤーより小型で、カセットテープやモーターを必要としない、揺さぶりにも強い高性能なものができる。また、カメラのフィルムの代わりに1GビットDRAMを使えば、本格的で小型のデジタルカメラができる。パソコンの場合には,重いハードディスクがなくても大容量の画像データが扱え、マルチメディア時代に対応した小型で高速なパソコンが登場するだろう。PDAの世界でも画像が扱えるようになるかもしれない。工業技術院電子技術総合研究所の王学論主任研究員らは、1996年11月にV字型のアルミニウム・ガリウム砒素の基盤にガリウムを含むガスとヒ素を含むガスを交互に送り込む流量変調結晶成長法という薄膜成長技術を採用し、幅最大0.03μ(3/100000mm)の溝にの中ではヒ素の上にガリウムの薄膜が原子1層分だけ体積し、余分なガリウムは溝の上部に移動し、均一した膜質になることを発見した。この技術は今後1GビットDRAMの開発に応用できる。IBMは8インチのシリコン・ウエハーを12インチ・ウェハーに移行することにより、約2.5倍のチップを生産できる上、コストを約2分の1に抑えることが可能となり、線幅0.15ミクロンの電子回路や1GビットDRAMの製造技術の開発に取り組めるようになるため、世界初の12インチ・シリコン・ウェハーを使用したニューヨーク州イースト・フィッシュキルのチップ生産施設に7億ドルの投資した。テキサス大学(University of Texas)の研究者グラント・ウィルソン(Grant Willson)化学・応用化学科(Chemistry and chemical engineering)教授はデュポン・フォトマスク(DuPont Photomasks)社と共同で、0.08μ(8/100000mm)幅(Pentium IIで0.25μ)のウエハー製造に成功した。この技術により、1800万個のトランジスタを内蔵した1500MHzの高速プロセッサの開発も可能になった。NECは総投資額で1800億円を投入して0.15μmという超微細加工技術を実用化させ、2002年度に1GビットDRAMの生産を始めるために米国のカリフォルニア州に量産工場を新設すると発表した。三菱電機は1998年8月に、折り返しビット線構成による4NAND型セル技術で、従来のDRAMに比べ、1.5倍の記憶容量を確保できるGビット級のメモリ・アーキテクチャの開発に成功したことを発表した。Motorola Labsは2001年9月5日に、これまでシリコンとIII-Vは相性が悪く重ねることができなかったが、シリコン層の上にガリウム砒素(GaAs)物、インディウム燐化物、ガリウム窒化物など、III-V族半導体と呼ばれるマテリアルの薄い層を重ねる技術(GaAs-on-Silicon)を開発し、光のスピードをサポートするガリウム砒素(GaAs)をシリコンウエハーに利用することが可能になったことを発表した。この技術開発により、光ファイバー・ケーブルを利用した一般家庭向けのブロードバンド接続、携帯電話でのストリーミング・ビデオサービス、自動車の接触防止システム、DVDなどコンシューマー製品のレーザー、医療機器、レーダー、自動車向けエレクトロニクス、ライト、発起電力製品などに利用できるようになる。経済産業省は2003年5月9日に、科学技術基本計画(平成13年3月閣議決定)において重点分野と定められた4分野を含む8分野(ライフサイエンス、情報通信、環境、ナノテクノロジー・材料、エネルギー、製造技術、社会基盤、フロンティア)を中心に、14テーマを対象とした技術動向調査を実施し、平成14年度特許出願技術動向調査報告の公表について「-医用画像診断装置、フォトマスク-」を発表した。詳細情報はURL(http://www.meti.go.jp/kohosys/press/0003999/)で知ることができる。日立製作所は2005年2月16日に、エルピーダメモリと共同で、チップ内の全メモリセルについて、トランジスタ特性のばらつき分布を計算し、チップ設計の良否を定量的に評価できる、新概念のDRAM設計技術を考案したと報告した。詳細情報はURL(http://www.hitachi.co.jp/media/New/cnews/month/2005/02/0216.html)で知ることができる。