ダイヤモンド半導体

diamond semiconductors


1960年代に真空に近い気圧下で人工的にダイヤモンドの薄膜を作ることが可能になり、このダイヤモンドの薄膜を利用して作られた半導体です。「ダイヤモンド半導体」の基本原理はシリコン半導体と同じで、薄膜化されたダイヤモンド基盤の上に結晶成長させて、これまでの半導体に比べて40倍から100倍も速く、700℃という高温下でも壊れずに動作し、放射線にも強いという特徴が報告されています。

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