0.09μm製造技術


Texas Instruments社が2002年2月4日に銅配線、低誘電率(low-K)絶縁材料、高集積SRAMなどを組み合わせて開発したと発表した、新聞紙の厚さの1/2000に相当する37ナノmのトランジスタからなる半導体の製造技術です。

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