有機金属熱分解気相成長法

化学物質半導体の結晶成長技術の1つで、原料に有機金属と水素化合物ガスを使って、基盤表面上で熱分解することにより、結晶成長する従来の半導体レーザー結晶の成長に利用されている技術。紫色半導体レーザーに用いる窒化ガリウム系結晶は、結晶を構成する窒素が蒸発しやすいために成長中に窒素が抜る。それを防ぐために従来は基盤に原料ガスを吹き付け結晶を生成していた。しかし結晶成長温度である約1,000°Cの高温では原料が須の対流が起こりやすく、高品質の結晶を成長させることが困難であった。そこで松下電器産業では、ガス流体シミュレーションを基に原料ガスの供給方法を検討し、原料ガスを吹き付けることなく、窒素の抜けを抑えることができる横方方式の原料ガスの供給方法を開発した。この技術開発により、品質的に結晶表面の平坦性、膜厚の制御、面内均一性で従来より優れたデバイスの開発に成功した。