プラズマエッチング

反応性ガスを放電させてプラズマ状態にし、発生するラジカルとイオンを固体材料と反応させて反応生成物として取り除くプロセスで、加工対象となる材料の上にレジストでマスクパターンを形成し、これに沿って微細パターンを形成することができる半導体のエッチング技術です。