低温ポリシリコン技術


ポリシリコンTFTを作る技術として一般化されている石英基盤に1000°C以上の高温でポリシリコンを付着させて高温ポリシリコン技術に対し、600°C以下の低温でガラス基盤上に高移動度のポリシリコンTFTを形成できる技術です。

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